توماس لادکولا (Tomas ladecola) و همکارانش از دانشگاه بوستون، مکانیزمی را برای ایجاد گاف فرموله کرده‌اند که شامل انحراف اتم‌های کربن از مکان‌ تعادلی‌شان است. آنها برای انجام این کار، برانگیختگی فونونی را در نظر گرفتند که طول باندها را در شبکه، در یک الگوی دوران‌کننده به دور یک ساختار شش ضلعی تغییر می‌دهد. آنها زمانی که این اثر را بر روی الکترون‌ها محاسبه کردند، دریافتند که سیستم برانگیخته شدهِ فونونی معادل است با یک حالت تعادلی که در آن گرافین دارای یک گاف است. این گاف به دامنه فونون بستگی دارد. برای مثال، فونون‌هایی که طول باندها را تا 40% تغییر می‌دهند باید گاف انرژی به میزان 0.025 الکترون ولت ایجاد کنند.

منبع:

 http://physics.aps.org/synopsisfor/10.1103/PhysRevLett.110.176603

مرجع:

 http://prl.aps.org/abstract/PRL/v110/i17/e176603